免费:碳化硅制備常用的5種方法

免费注册送38体验金平台 | 2020-09-08|浏览:51

反應開始的溫度約在1400℃,初始產物為結晶非常細小的β-SiC,升溫至2100℃時逐漸向α-SiC轉化。反應的終極溫度一般選擇在1900~2200℃范圍內,終極的產物通常是同時包含α-SiC和β-SiC。

無壓燒結法制備的SiC陶瓷,其致密度通常可達到98%,這主如果因為添加的燒結助劑,如鋁溶膠、硅溶膠等,在高溫下形成液相促進燒結,從而促進了陶瓷的致密化。Omori等以氧化物作為燒結助劑,在較低的燒結溫度下產生的低共熔物提高了碳化硅陶瓷的致密化程度。

熱壓燒結法是將坯體放入耐高溫的模具中,再將模具置于能夠施加壓力的高溫爐中,在高溫與壓力的同時作用下來進行燒結,利用此方法獲得的制品的性能較為優異,密度能達到碳化硅的理論密度,同時與其他方法相比其優點還在于不但能降低燒結溫度,還能減少制備的時間。SProchazka等采用了熱壓燒結法,選用的添加劑為B和C,制備出的碳化硅陶瓷的致密度大大提高。

反應燒結法制備的碳化硅陶瓷,又稱為β-SiC自結合碳化硅,即在SiC中加入Si粉和碳,在1450℃下埋碳燒成,硅粉和碳反應天生β-SiC將原有的SiC結合起來,這類工藝制備的SiC制品的性能良好,強度較大。

重結晶碳化硅是以澆注成型的高密度SiC坯體,在高溫下通過再結晶作用形成的的自結合碳化硅制品。這類方法制得的制品中SiC的含量通常在99%以上,與上述方法所制得的SiC制品相比,具有更高的強度和抗熱震性。